Лазерный станок для автоматизированной лазерной подгонки резистивных элементов МЛ52 предназначена для автоматизированной подгонки гибридных интегральных схем (ГИС) и изделий с неразделенными "чип"- резисторами любой геометрической формы выполненных по тонкопленочной или толстопленочной технологии на подложках из поликора, ситалла, сапфира, различной керамики. Применяется данный вид лазерного станка в приборостроении, в микроэлектронике.  Длина волны изучения лазера - 1.06-1.07 мкм или 532 мкм. Средняя мощность - до 3 Вт. Метод фиксации заготовки - вакуумный или механический. Тип устройства модуля выполнения реза - XY позиционер. Расчетный шаг перемещения - 1 мкм. Скорость при подгонке - от 0.01 до 10 мм/с. Диаметр пятна - 30 мкм. Система перемещения зондов - XY координатные столы. Точность установки зондов на контактные площадки - не более 10мкм. Диапазон сопротивлений подгоняемых резисторов - 1-10⁷ Ом. Допускаемая погрешность контроля резистора Rх: в диапазоне менее 50 Ом., в среднем диапазоне более 50 Ом, менее 160 кОм., в диапазоне более 160 кОм - ±0,08% ±0,04% ±0,08%. Управляющая программа - ML53. Электропитание - 220В, 50Гц. Потребляемая мощность - не более 3 кВт. Габариты - 1600х1200х1800мм. Вес установки - 450кг.